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2016 一种SOI硅片上制备微机械悬空结构的方法

发布时间:2016-03-20          来源:办公室           浏览次数:

   本发明公开了一种在SOI硅片上制备微机械悬空结构的方法。对悬空结构及其固定结构采用不同的槽宽设计,其中,固定结构的槽宽明显大于悬空结构,宽槽底部经刻蚀首先到达或更加接近SiO2层,再通过各向同性干法刻蚀使窄槽底部相互连通并与窄槽下方的Si层分离,将窄槽间的梁释放,形成具有平整底面的悬空结构,同时去除固定结构与悬空结构连接区底部的Si以及固定结构与其它结构之间的区域底部的Si,使得固定结构与窄槽下方的Si层及其它结构隔离,从而使不同的固定结构间相互绝缘。本发明的方法简单有效,能广泛应用于MEMS悬空结构的加工。

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