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2015 基于硅片刻穿的体硅加工工艺

发布时间:2015-12-19          来源:办公室           浏览次数:

   本发明公开了一种基于硅片刻穿的体硅加工工艺。包括如下步骤:在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜;在硅片背面镀金属膜;用真空油将金属膜粘贴在托片上,托片为表面有氧化层的硅片;用感应耦合等离子体干法刻蚀系统刻穿硅片,得到体硅微结构;感应耦合等离子体干法刻蚀采用分阶段刻蚀的方法,包括多个刻蚀阶段,每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内,通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成,随着刻蚀深度的增加,各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强;去除光刻胶掩膜和金属膜,释放体硅微结构。本发明能有效提高光刻胶的选择比,刻蚀深度以及刻蚀槽侧壁的垂直度。

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