English
 
通知: ·2018年11月23日-25日 第四届...    ·181116 Huarcaya博士学术报告    ·181110 郭俊起博士学术报告    ·181110 张宏升教授学术报告    ·181102 Koch教授学术报告   
 
 


  科研人员

  实验室简介
  组织架构
  科研人员
  行政人员
  聘用人员
  科研平台
  在读研究生
  毕业生信息
 

科研人员 您的位置是: 首页 > 实验室概况 > 科研人员 > 正文

 
胡方靖
胡方靖,男,博士,副研究员。

 主要研究方向
太赫兹技术,基于MEMS的可调控人工电磁材料,以及计算电磁学及其并行化等。

 个人简介
胡方靖现担任华中科技大学物理学院引力实验中心副研究员。他在2010至2014年间就读于伦敦帝国理工学院电气与电子工程系,并于2015年获得哲学博士学位,其博士论文也获得同年帝国理工学院电子工程系最佳博士论文奖Eryl Cadwaladr Davies Prize。在此之前,他分别于2010年及2007年获得电子科技大学工学硕士及学士学位。

 过去的主要工作及获得的成果
从事太赫兹技术,人工电磁材料的设计及表征,计算电磁学及其并行算法的研究等工作。现在主要从事基于MEMS技术的人工电磁材料的设计工作。在国际期刊以第一或通讯作者发表文章7篇,并参与一部著作的编写工作。其博士论文获得Eryl Cadwaladr Davies Prize 2014/15 (帝国理工学院电子工程系最佳博士论文)。

通信地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号华中科技大学物理学院引力中心
邮 箱: fangjing_hu@hust.edu.cn
办公电话: 027-87543880
传 真:
QQ:


 
 
 

Copyright (C) 华中科技大学引力中心 地址:湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 邮编:430074